产品分立器件复合管双场效应管
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内部
电路
 
极性  VBR(DSS)
(V)
 
ID
(A)
 
RDS(on)
(Ω)
 
VGS(th)
(V)
 
封装形式 
2N7002DWN-ch MOS*2600.11571~2.5SOT-363
2N7002KDWN-ch MOS*2600.3451~2.5SOT-363
2N7002VN-ch MOS*2600.11551~2.5SOT-563
CJ3134KDWN-ch MOS*2200.750.80.35~1.1SOT-363
CJ3139KDWP-ch MOS*2-20-0.660.52-0.35~-1.1SOT-363
CJ3439KDWN-channel
P-channel
20
-20
0.75
-0.66
0.38
0.52
0.35~1.1
-0.35~-1.1
SOT-363
CJ5903DC*P-ch MOS*2-20-4.50.07-0.4~-1
CJ7252KDWN-Channel
P-Channel
60
-50
0.34
-0.18
5.3
-10
1
-0.9~-2
SOT-363
CJCD2004N-ch MOS*220100.010.5~1DFNWB2X3-6L-C(P0.5T0.75)
CJCD2005N-ch MOS*22080.0130.5~1DFNWB2X3-6L-C(P0.5T0.75)
CJCD2007N-ch MOS*22070.0350.4~1DFNWB2X3-6L-C(P0.5T0.75)
CJL2016N-ch MOS*22060.020.45~1.2SOT-23-6L
CJL2623P-ch MOS*2-30-30.13-1~-3SOT-23-6L(12R)
CJL6602N-channel
P-channel
30
-30
3.4
-2.3
0.06
0.135
0.6~1.4
-0.6~-1.4
SOT-23-6L(12R)
CJL8205*N-ch MOS*21960.0250.5~0.9SOT-23-6L(12R)
CJL8810N-ch MOS*22070.020.4~1SOT-23-6L
注:“*”代表开发中的新产品。 共3页,本页为第1页 共45条记录   前一页 1 2 3 后一页
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