产品分立器件复合管场效应管+二极管
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内部
电路
 
极性  VCEO
(V)
 
IC
(mA)
 
Min
(V)
 
Max
(V)
 
封装形式 
CJ5853DCP-ch MOS
Di
-20
20
-2700
1000
--
CJ5853DCBP-ch MOS
Diode
-20
20
-2700
500
CJ7203KDW*N-ch MOS
Diode
60
40
340
350
--SOT-363
CJLJF3117PP-ch MOS
Diode
-20
30
-3300
2000
DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
CJLJF3117PBP-ch MOS
Diode
-20
20
-3.3
0.5
DFNWB2×2-6L-U(P0.65/0.75/0.85)
CJMP06P-ch MOS
Diode
-20
20
-2000
1000
DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
注:“*”代表开发中的新产品。 共1页,本页为第1页 共6条记录  
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